저손실·고방열, 점검기능 경로제공 '마이크로파 직접회로' 전용 패키지 개발
[서울=뉴스핌] 이나영 기자= 저열팽창 고방열 소재 부품 전문기업 코스텍시스가 산업통상자원부 소재부품기술개발사업 과제에 공동연구개발 기관으로 선정됐다고 2일 밝혔다.
금번 선정된 정부 과제명은 '초고주파 GaN MMIC(마이크로파 직접회로) 전용 패키지 개발 및 패키징 후공정 개발'이며 코스텍시스가 담당하는 부분은 초고주파 저손실, 고방열, 점검기능 경로제공 GaN MMIC 전용 패키지 개발과 전력 소자에서 발생한 열을 외부로 방출이 용이하게 하는 열설계 구현이다.
코스텍시스 로고. [사진=코스텍시스] |
총 연구개발 기간은 2023년 7월1일부터 2026년 12월 31일까지이며, 정부지원 총 연구개발비는 약 28억원 규모의 사업이다. 이번 정부과제 기대 효과는 GaN MMIC 전력증폭기 제품의 국산화 및 가격경쟁력 확보를 통한 수입 대체 및 수출 증가와 관련 산업과의 시너지 등이 있다.
코스텍시스 관계자는 "당사의 저열팽창 고방열 소재 기술력을 인정받아 이번 과제에 선정됐다"며 "RF(무선주파수) 분야에서도 지속적으로 사업을 확대해 나갈 수 있으리라 생각한다. 무엇보다 당사의 핵심 소재 기술이 차량용 전력반도체는 물론 통신용 시장 더 나아가 SiC(실리콘 카바이드), GaN(질화갈륨) 반도체 등 차세대 화합물 반도체가 적용되는 다양한 분야로 확대 될 수 있는 가능성을 보여준다는데 의의가 크다"고 전했다.
한편 코스텍시스는 최근 글로벌 전력반도체 전문기업에 차량용 전력반도체 고방열 스페이서 초도 수주계약을 체결한 바 있다.
nylee54@newspim.com