[서울=뉴스핌] 양태훈 기자 = 삼성전자가 업계 최고 속도의 3D 낸드플래시 반도체 양산에 돌입했다.

10일 삼성전자는 초당 약 175메가바이트(Megabyte, MB)의 데이터를 전송할 수 있는 '256기가비트(Gb) 5세대 V낸드'를 본격 양산한다고 밝혔다. V낸드는 삼성전자 3D 낸드플래시 반도체의 브랜명으로, 5세대는 90단 이상으로 메모리 셀(1비트의 데이터를 저장할 수 있는 공간)을 적층했다는 것을 의미한다.

삼성전자는 기존 4세대(64단) V낸드보다 메모리 셀을 더욱 미세하게 적층하기 위해 5세대 V낸드에 전기가 통하지 않는 물체에 전하를 저장하는 '차지 트랩 플래시(Charge Trap Flash, CTF)' 구조를 적용, 셀 영역의 높이를 20% 낮추는데 성공했다.

또 국제 반도체 표준 협의 기구(JEDEC)에서 표준화가 추진 중인 차세대 낸드플래시 인터페이스인 토글(Toggle) DDR 4.0 규격(1400Mbps)을 세계 최초로 적용해 4세대 V낸드 대비 초당 데이터 전송속도를 1.4배 빠르게 했다.

삼성전자가 세계 최초로 양산에 돌입한 '256기가비트(Gb) 5세대 V낸드'. [사진=삼성전자]

아울러 5세대 V낸드의 성능과 생산성을 극대화하기 위해 독자 개발한 ▲초고속·저전압 동작 회로 설계 ▲고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 ▲텅스텐 원자층박막 공정 등 3대 혁신기술을 채용, 1.2볼트(V)에서 초당 1.4기가비트(Gb)의 속도를 구현하고 데이터를 쓰는 시간도 4세대 V낸드 대비 30% 빠른 500마이크로초(μs)로 단축시켰다.

경계현 삼성전자 메모리사업부 플래시 개발실장(부사장)은 "5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다"며 "향후 1Tb(테라비트)와 쿼드레벨셀(Quad Level Cell, QLC) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것"이라고 강조했다.

삼성전자는 5세대 V낸드의 고객 수요 확대에 맞춰 생산 비중을 빠르게 확대해 슈퍼컴퓨터부터 엔터프라이즈 서버, 모바일 시장까지 고용량화 트랜드를 지속 주도해 나간다는 방침이다.

한편, 삼성전자가 이번에 양산에 돌입한 5세대 V낸드는 트리플레벨셀(Triple Level Cell, TLC) 제품으로 국내 평택 반도체 공장에서 먼저 생산에 돌입, 삼성전자는 향후 평균판매단가(ASP)를 고려해 TLC에서 QLC로 메모리 셀 구성을 전환하고 중국 시안 반도체 공장을 통해 물량확대에 나설 예정이다.

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