[뉴스핌=신동진 기자] 삼성전자와 하이닉스의 실적이 각각 올해 4분기와 내년 1분기를 저점으로 개선세로 전환될 것이란 전망이 나왔다.
KB투자증권 서주일 애널리스트는 29일 "NAND 가격 반등과 DRAM 가격 하락세 완화, 그리고 국내업체의 30nm 공정전환에 따른 원가 절감으로 삼성전자와 하이닉스 실적이 각각 올해 4분기와 내년 1분기를 저점으로 개선될 전망"이라며 "업황 바닥 시그널이 나타나고 있는 시기로 비중확대를 강조한다"고 내다봤다.
다음은 리포트 내용.
- 급격한 DRAM 가격하락 영향, 하이닉스는 하회 반면 삼성전자는 소폭 상회
국내 반도체 업체의 4분기 실적은 PC DRAM 가격이 예상보다 큰 폭인 45% QoQ 하락하면서 시장 컨센서스 대비 하회 할 전망이다.
반면, 삼성전자는 1) NAND 가격 강세와 2) 스마트폰 및 갤럭시탭 출하량 증가로 컨센서스를 소폭 상회할 전망이다. 반도체 실적 하락세는 1Q11까지 지속될 것으로, 1분기말 가격반등과 함께 개선세로 전환될 전망이다.
국내 업체는 Non-PC 비중이 55-60%로 해외 경쟁사 대비 높아 상대적으로 양호한 실적을 기록할 것으로 보인다.
Non-PC 제품 가격은 10-15% QoQ 하락한 것으로 추정되며 blended ASP는 25-30% QoQ 수준 하락하면서 흑자기조를 지속 유지, 해외 경쟁사와는 뚜렷한 격차를 보여줄 것이다.
- 후발업체에 이은 선두 업체의 capex 축소, 2011년 업황 긍정적일 것
4분기 대만과 일본업체들의 설비투자 축소가 발표되었고, 하이닉스도 2011년 설비투자를 금년대비 약 12% YoY 하향하였다. DRAM 투자로 보면 축소폭은 30% YoY 수준으로 추정된다.
또한, 선두업체의 DRAM 투자도 대폭 축소 될 전망이며, 공정전환 위주의 투자에 집중할 것으로 예상된다. 설비투자가 수요강세가 예상되는 NAND 중심이어서 2011년 DRAM 업황 개선은 자명하다.
- 대만 업체들의 cash burning 심화로 본격적인 감산 임박
DRAM 가격 급락은 1) 원가 구조가 취약한 대만업체들의 감산과 구조조정을 이끌고, 2) 국내 업체들의 모바일 DRAM으로의 capacity 전환을 가속화 시킬 전망이다.
최근 채널첵에 따르면, DRAM 가격 하락 속도가 50nm 100% 전환하며 향상된 원가 절감 속도보다 빨라 cash burning이 본격적으로 나타나고 있는 것으로 파악된다.
따라서, 현재 가격이 $0.97 (1Gb 기준)까지 하락하였고 또한 그 이하로 하락할 상황에서 감산이 불가피해 보인다. 실적하락 보다는 업황의 bottoming out에 무게를 둬야 할 포인트이다.
- Valuation상 삼성전자의 제자리 찾기 이후 하이닉스의 격차 좁히기 수순
DRAM 가격 급락에 따른 실적 하락은 상당부분 주가에 반영되었다는 판단이다.
경쟁업체들의 추가 감산과 구조조정이 예상되어 비중확대를 강조한다. 삼성전자와 하이닉스는 실적은 각 4Q10, 1Q11을 저점으로 개선세로 전환 될 전망이다.
따라서, 삼성전자의 적정 valuation 찾기 (PER 기준 10.2X)이어 하이닉스의 격차 해소가 이어질 전망이다.
하이닉스의 DRAM 38nm와 NAND 26nm 본격 출하는 기술격차를 축소 시키는 계기가 될 것으로 보인다.
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[뉴스핌 Newspim]신동진 기자 (sdjinny@newspim.com)
