[서울=뉴스핌] 심지혜 기자 = 삼성전자가 기존 2세대 10나노급(1y) D램보다 생산성이 20% 늘어난 D램 개발에 성공했다. 

삼성전자는 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 22일 밝혔다. DDR은 D램의 동작속도로 규정하는 반도체의 규격으로 뒤의 숫자가 높아질 수록 데이터 처리 속도가 2배씩 빨라진다.

이번 D램은 2세대 10나노급(1y) D램 양산 16개월만으로 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했다. 초고가의 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성은 20% 이상 향상됐으며 속도도 증가해 전력효율도 개선됐다. 

삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료, 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나간다는 계획이다. 

삼성전자는 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다.

특히 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.

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