[뉴스핌=김겨레 기자] SK하이닉스가 올해 시설 투자 금액을 당초 계획보다 늘린다.

26일 SK하이닉스는 D램 및 낸드플래시 메모리 수요 증가에 대응하기 위해 올해 시설 투자에 총 9조6000억원을 투입할 것이라고 밝혔다.

SK하이닉스 이천공장 M14. <사진제공=SK하이닉스>

이는 올해 초 공시한 시설 투자 예상액 7조원과 비교해 37% 늘어난 금액이다. 지난해 시설 투자 규모인 6조2900억원과 비교하면 52.6% 확대됐다. 

SK하이닉스는 "시장 환경 변화에 적극적으로 대응하고, 사업 경쟁력 강화와 미래 성장 기반을 확보하기 위해 해외법인을 포함한 올해 시설투자 계획을 변경한다"고 설명했다.

투자금은 신공장 완공을 앞당기는데 쓰인다. SK하이닉스는 청주와 중국 우시(無錫) 공장의 클린룸을 내년 4분기까지 구축할 계획이다. 당초 청주는 오는 2019년 6월, 우시는 같은 해 4월까지 건설을 완료할 예정이었다.

이를 위해 SK하이닉스는 이날 이사회에서 2020년까지 우시 공장에 1조1161억원을 추가 출연하기로 결정했다.

이명영 SK하이닉스 재무기획본부장(전무)는 지난 25일 열린 2분기 실적 컨퍼러스콜에서 "올해 D램 분야 생산 규모를 전년 대비 3~5% 늘릴 예정이지만 전체적인 투자 규모가 이보다 더 커질 수 있다"며 "올해 설비투자 계획은 7조원이었는데 이를 높이는 것을 검토 중"이라고 밝힌 바 있다.

반도체 시장은 당분간 호황을 이어갈 것으로 보인다. D램과 낸드플래시 공급 부족이 지속되는 상황에서 하반기에는 중국 스마트폰업체들이 D램을 집중적으로 사들일 것으로 전망된다. 

[뉴스핌 Newspim] 김겨레 기자 (re9709@newspim.com)