[뉴스핌=배군득 기자] 하이닉스반도체가 최근 불어 닥친 스마트폰 등 디지털 혁명을 ‘메모리 신(新)성장 시대’로 규정하고 고부가가치 위주 제품전략을 통해 새로운 시너지를 창출할 계획이다.

현재 IT 산업은 디지털기기 스마트화, 네트워크 모바일화, 콘텐츠 고도화에 따른 디지털 혁명의 시대에 접어들고 있다. 이에 따라 디지털 기기와 서비스 수요는 급격하게 증가할 것으로 예상하고 있다.

메모리반도체 응용분야도 기존 PC, 서버 위주에서 스마트폰, 태블릿PC 등 모바일 제품으로 확대되는 추세다.

그러나 이처럼 다양한 IT기기 등장과 기기당 메모리 사용량이 증가되는 등 메모리 수요는 늘어나고 있지만 메모리업계의 과점화 및 기술한계, 수요특성 고도화에 따라 공급증가는 제한적인 상황이다.

하이닉스반도체는 이 같은 시대적 흐름을 ‘메모리 신성장 시대’로 규정하고 고부가가치 위주의 제품전략을 통해 성공적으로 대응해 왔다.

미세공정 전환을 통해 기술력 및 원가경쟁력을 강화하는 한편 점점 다양해지는 수요에 대응하기 위해 제품 포트폴리오를 개선했고 이 결과 수익성을 극대화 시켰다.

하이닉스가 올해를 '메모리 신성장시대'로 규정하고 고부가가치 제품 강화를 통해 메모리반도체 전문회사로 거듭나겠다는 각오다. 사진은 하이닉스 메모리 D램 공정라인 모습.

하이닉스는 지난 2010년 연간 연결기준으로 매출 12조990억원, 영업이익 3조2730억원, 순이익 2조6560억 원을 기록해 매출액, 영업이익, 순이익 모두 사상 최대 실적을 거뒀다.

지난해 사상최대 실적은 상하반기 급격한 시장상황 변동에도 불구하고 성공적으로 차세대 미세공정으로 전환해 차별화된 기술 경쟁력을 확보한데 따른 것이다.

또 모바일, 그래픽, 서버용 D램 등 고부가가치 제품비중을 늘려 제품경쟁력을 확보하는 등 안정된 사업경쟁력을 갖춘 결과로 풀이된다.

기존 PC용 D램 위주에서 모바일, 그래픽, 서버용 D램과 같은 스페셜티(Specialty) 제품 비중을 지속적으로 늘려온 것도 상승 원인으로 작용했다. 스페셜티 D램은 일반 PC용 D램에 비해 가격이 높으면서 가격 변동성이 적어 안정적인 수익 창출이 가능하다.

PC용 D램보다 높은 수준의 기술력이 요구돼 후발업체들이 쉽게 따라올 수 없는 기술적 진입장벽을 가지고 있기도 하다.

지난 2008년에는 전체 D램 매출에서 스페셜티 제품 비중이 40% 초반에 불과했으나 2009년 D램 매출 50% 중반까지 증가한 것도 이를 뒷받침 해준다. 올해 연말에는 이러한 고부가가치 제품 비중을 70% 이상으로 높인다는 계획이다.

투자 부문에서도 적극적인 움직임을 보이고 있다. 지난해 초 2조3000억원 투자를 계획했지만 두차례에 걸쳐 투자금액을 상향 조정하면서 총 3조3800억원의 투자를 집행했다.

투자확대를 통해 40나노급 D램과 20나노급 낸드플래시 공정전환을 가속화했다. 생산성 증가로 원가경쟁력도 강화됐다. 다양한 고객 요구에 부합하는 제품을 적기에 공급해 수익성 역시 높아졌다.

D램은 40나노급 제품 생산비중이 지난해 연말 기준으로 50%까지 증가했으며 지난해 말 개발이 완료된 30나노급 제품도 올해 1분기부터 초기 양산이 시작됐다.

또 세계최초로 30나노급 4기가비트 제품도 개발을 완료해 고용량, 고성능, 저전력 프리미엄 제품시장 공략 강화에 나섰다.

낸드플래시는 지난해 8월 20나노급 제품을 양산하기 시작해 업계 선두수준 기술력과 원가경쟁력을 확보했다. 20나노급 64기가비트 제품은 기존 30나노급 32기가비트 제품에 비해 생산성이 60%가량 향상돼 원가경쟁력이 강화됐다.

하이닉스 관계자는 “공정 미세화에 따른 세계 최고수준 기술력을 확보해 원가경쟁력을 강화하는 것은 물론 메모리반도체 시장에서 확고한 우위를 선점할 계획”이라며 “메모리 신성장시대에 기술력과 원가경쟁력을 바탕으로 업계 최고 메모리반도체 전문회사로 도약하고자 한다”고 밝혔다.