삼성전자, 평택 P4 공장에서 6세대 D램 생산 예정
SK하이닉스, 이천 M16 공장 증설로 생산성 2배 목표
[서울=뉴스핌] 김정인 기자 = 삼성전자와 SK하이닉스가 상반기 고대역폭메모리(HBM) 중심의 D램 수요 성장세를 확인하면서 하반기 설비 투자와 증설을 본격화할 전망이다.
◆ 삼성전자·SK하이닉스, 첨단 D램 생산 강화…수요 대응
19일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 평택 사업장의 신규 팹인 4공장(P4)에서, SK하이닉스는 이천의 M16 공장에서 각가 D램 생산능력을 강화한다. 삼성전자는 내년 6월 가동을 목표로 하고 있으며 최근 차세대 HBM용 최선단 D램을 제작하기 위한 장비 반입이 진행 중인 것으로 알려졌다.
삼성전자 평택 캠퍼스 전경. [사진=삼성전자] |
앞서 삼성전자는 지난 3월 미국 실리콘밸리에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘 2024' 연설을 통해 오는 2024년 10나노미터(㎚)급 6세대 D램 양산, 2026년 10나노미터급 7세대 D램 양산 로드맵을 공개했다. P4에서는 6세대 10나노미터 차세대 D램을 생산할 것으로 전망된다.
SK하이닉스는 이천 M16 공장에 증설을 추진한다. M16은 당초 4세대 10나노급 D램 제품 생산에 초점을 맞췄지만, 최근 첨단 반도체 수요가 확대되자 생산장비 업그레이드를 통해 시장에 대응하겠다는 전략이다. M16 공장의 월평균 D램 웨이퍼(반도체원판) 생산량은 10만장 수준으로 SK하이닉스 전체 D램 생산능력의 약 22%를 차지하고 있다. SK하이닉스는 해당 공장의 생산성을 1.8배에서 2배 수준까지 끌어올린다는 방침이다.
◆ 2분기 D램 매출 24.8% 증가…3분기 계약 가격 인상 전망
D램 가격 상승세가 이어진다는 점이 양사의 결정에 크게 영향을 미친 것으로 분석된다. 실제 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 2분기 D램 매출액은 229억100만 달러로 전분기(183억4700만 달러) 대비 24.8% 늘었다.
예상치를 뛰어넘은 D램 계약가격 상승폭에는 지정학적 요인이 가장 크게 작용한 것이라는 분석이 나온다. 트렌드포스는 "제조업체의 매출을 증가시킨 주류 제품의 출하량 확대에 힘입은 것"이라며 "계약 가격은 2분기에도 상승세를 유지했으며 지정학적 요인으로 3분기 D램 계약 가격 상승은 이전 예측을 상회할 것으로 예상된다"고 분석했다.
SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 조감도. [사진=SK하이닉스] |
회사별로 보면 삼성전자의 2분기 매출액은 98억2000만 달러로 전분기 보다 22% 증가했다. 다만 점유율은 43.9%에서 42.9%로 1%포인트(p) 줄었다. 2위 SK하이닉스의 매출액은 79억1100만 달러로 전분기 대비 38.7% 늘었다. 점유율 역시 3.4%p 증가한 34.5%를 기록했다. 같은 기간 마이크론은 전분기 대비 14.1% 늘어난 45억 달러의 매출액을 기록했지만 점유율은 1.9%p 내린 19.6%다.
상위 3개 기업의 2분기 출하량은 전분기 대비 나란히 증가했으며 평균판매단가(ASP)도 상승세를 보였다. 트렌드포스는 "4월 초 대만을 강타한 지진과 HBM의 높은 수요로 D램 구매자들이 보다 공격적인 구매 전략으로 전환한 것이 원인"이라고 말했다. 이에 따라 2분기 계약 가격은 최종적으로 13~18% 조정됐다는 분석이다.
3분기에도 D램 가격 상승세는 이어질 전망이다. 트렌드포스는 대부분의 D램 제조사가 지난달 말 PC OEM 및 CSP와 3분기 계약 가격 협상을 마쳤으며 기대 이상의 결과를 얻었다고 말했다. 이에 따라 3분기 계약 가격 인상률은 기존 전망치에서 5%p 높은 8~13%로 상향 조정했다.
kji01@newspim.com