- 검찰, 하이닉스 등 혐의기업 관계자 입건
[뉴스핌=신동진 기자] 삼성전자가 반도체 핵심기술 유출로 수조원의 피해를 입었다.
3일 관련업계에 따르면, 하이닉스반도체 관계자가 동종업계 세계 1위의 삼성전자 국가핵심기술을 빼낸 혐의로 검찰에 적발됐다.
이에 따라 삼성전자의 피해액은 간접피해까지 포함해 수조원에 달할 것으로 보인다.
서울동부지검 형사6부(부장 이중희)는 3일 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 반도체 제조장비 업체 A사 한국지사 전 대표(현 A사 부사장)를 비롯해 같은 회사 관계자 2명을 구속하고 10명을 불구속 입건했다.
검찰은 또 A사 한국지사로부터 삼성전자의 핵심기술 등을 불법 취득한 혐의로 하이닉스 제조본부장 전무를 구속하고 4명을 불구속 입건했다.
검찰은 아울러 자사에 중요 기술을 빼돌려 A사 한국지사에 흘린 삼성전자 과장을 구속하고 4명을 불구속 입건한 것으로 알려졌다.
국가핵심기술은 '80나노급 이하 D램'과 '70나노급 이하 낸드 플래시 기술' 등으로 2007년 8월 산업자원부 장관 고시에 의거해 지정됐다.
삼성전자에서 흘러나간 기술 중에는 D램 68, 56, 46 나노 제품 및 낸드 플래시 63, 51, 45, 41, 39 나노 공정순서, 사용 설비, 사용된 물질 정보 등 국가핵심기술만 52건에 이르는 것으로 전해졌다.
삼성전자 관계자는 "우리나라의 수출주력 산업인 반도체에 핵심기술이 협력업체를 통해 유출돼 삼성뿐만 아니라 국가적 손실이 초래될까 우려된다"고 말했다.
3일 관련업계에 따르면, 하이닉스반도체 관계자가 동종업계 세계 1위의 삼성전자 국가핵심기술을 빼낸 혐의로 검찰에 적발됐다.
이에 따라 삼성전자의 피해액은 간접피해까지 포함해 수조원에 달할 것으로 보인다.
서울동부지검 형사6부(부장 이중희)는 3일 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 반도체 제조장비 업체 A사 한국지사 전 대표(현 A사 부사장)를 비롯해 같은 회사 관계자 2명을 구속하고 10명을 불구속 입건했다.
검찰은 또 A사 한국지사로부터 삼성전자의 핵심기술 등을 불법 취득한 혐의로 하이닉스 제조본부장 전무를 구속하고 4명을 불구속 입건했다.
검찰은 아울러 자사에 중요 기술을 빼돌려 A사 한국지사에 흘린 삼성전자 과장을 구속하고 4명을 불구속 입건한 것으로 알려졌다.
국가핵심기술은 '80나노급 이하 D램'과 '70나노급 이하 낸드 플래시 기술' 등으로 2007년 8월 산업자원부 장관 고시에 의거해 지정됐다.
삼성전자에서 흘러나간 기술 중에는 D램 68, 56, 46 나노 제품 및 낸드 플래시 63, 51, 45, 41, 39 나노 공정순서, 사용 설비, 사용된 물질 정보 등 국가핵심기술만 52건에 이르는 것으로 전해졌다.
삼성전자 관계자는 "우리나라의 수출주력 산업인 반도체에 핵심기술이 협력업체를 통해 유출돼 삼성뿐만 아니라 국가적 손실이 초래될까 우려된다"고 말했다.