[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 고성능 메모리 호황이 본격화되면서 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯한 메모리 기업들이 클린룸 가동 시점을 앞당기고 있다. 생성형 인공지능(AI)과 데이터센터 투자 확대로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 급증하자, 생산 능력 확보 시점이 곧 시장 주도권과 직결된다는 판단에서다. 한동안 시황을 고려해 공급 속도를 조절하던 전략에서 벗어나, 공기 단축과 조기 양산으로 방향을 틀었다는 분석이 나온다. 여기에 마이크론까지 인수 카드를 꺼내 들면서 글로벌 메모리 3사의 '시간 싸움'이 한층 치열해지는 모습이다.

26일 반도체업계에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체클러스터 1기 팹에 총 31조 원을 투입한다고 밝혔다. 핵심은 일정 단축이다. 당초 2027년 5월로 예정됐던 클린룸 오픈 시점을 같은 해 2월로 3개월 앞당긴다. HBM4를 비롯한 차세대 제품 양산 기반을 조기에 확보하겠다는 전략이다.

국가첨단전략산업법에 따른 용적률 완화로 클린룸 면적도 넓어졌다. 고성능·고집적 제품 생산에 필요한 공간을 선제적으로 확보하겠다는 포석이다. 이에 따라 1기 팹에는 2개 골조와 6개 클린룸이 순차 구축된다. 2단계부터 6단계까지 전체 클린룸을 한 번에 설계해 물리적 생산 기반을 조기에 갖추는 구조다.

SK하이닉스는 이번 추가 시설투자 집행이 대규모 투자 계획이 본궤도에 진입했음을 보여주는 신호라고 설명했다. AI와 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 확산으로 고대역폭·고집적 메모리 수요가 구조적으로 증가하는 만큼, 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 공급할 체계를 구축하겠다는 판단이다. 용인 클러스터에서는 50여 개 협력사와 연계한 생산 생태계 조성도 병행한다. 소부장 기업과 협력을 강화해 대규모 양산 체제를 조기에 안착시키겠다는 구상이다.

삼성전자도 평택 캠퍼스에서 속도를 내고 있다. 골조 공사와 가스·화학 설비 구축을 동시에 진행하는 '패스트트랙' 공법을 적용해 HBM4 등 차세대 제품 수요에 대응할 생산 기반을 서두르고 있다.

우선 P4(4공장) 준공 시점을 내년 1분기에서 올해 4분기로 앞당길 전망이다. 약 3개월 공기를 단축하는 일정이다. P4에는 HBM에 쓰이는 10나노 6세대(1c) D램 생산 라인을 새로 구축하는 방안을 추진 중이며, 월 10만~12만 장 웨이퍼 생산이 가능할 것으로 알려졌다. P5 생산라인 클린룸 공사도 6개월 이상 단축해 올 3분기 완공을 목표로 한다. 가동 시점 역시 2028년 초에서 내년 말로 조정될 전망이다.

삼성전자와 SK하이닉스에 맞서는 마이크론은 인수로 대응에 나섰다. 마이크론은 지난달 대만 미아오리현 통뤄에 위치한 PSMC의 P5 팹 인수를 위한 인수의향서(LOI)를 체결했다. 인수 금액은 18억 달러(약 2조6500억 원)다. 관련 규제 승인을 거쳐 올해 2분기 내 거래를 마무리할 계획이다.

이번 인수로 마이크론은 300㎜ 웨이퍼 기준 월 최대 5만 장 규모 생산 능력을 갖춘 기존 공장을 확보하게 된다. 신규 팹 건설에는 부지 확보부터 양산까지 5~7년이 걸리지만, 기존 설비를 활용하면 약 2년 안에 안정적인 생산 체계를 갖출 수 있다. 공장 신설 대신 인수로 시간을 단축한 점이 이번 전략의 핵심으로 평가된다. 트렌드포스에 따르면 마이크론은 올해에서 내년 사이 기존 장비와 신규 장비를 단계적으로 도입해 내년 양산에 돌입할 전망이다. 

syu@newspim.com