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20나노급 D램 기술 유출 혐의
[서울=뉴스핌] 박우진 기자 = 국내 반도체 기술을 중국에 유출한 혐의를 받고 있는 전직 삼성전자 연구원에 대해 법원이 구속영장을 기각했다.
서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 16일 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설등) 혐의로 구속영장이 청구된 전직 삼성전자 연구원 A씨에 대한 구속영장을 기각했다.
재판부는 "피의자가 범행에 대해 사실적, 법리적 측면에서 다투고 있고 현재까지 진행된 수사 진행 상황 등에 비추어 볼 때 피의자에게 방어권을 보장해줄 필요가 있다고 보인다"고 밝혔다.
이어 "별다른 범죄전력이 없고, 주거가 일정하며, 수사기관의 수사 및 소환에 성실히 응해온 점, 관련 증거들도 상당수 확보됐다"며 "피의자 심문태도, 변호인의 변소 내용을 감안할 때 구속의 필요성 및 상당성이 인정된다고 보기 어렵다"고 덧붙였다.
A씨는 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술을 중국 반도체 업체 '청두가오전'에 넘긴 혐의를 받고 있다. 중국 반도체 업체 청두가오전은 과거 삼성전자 임원과 하이닉스 부사장을 지낸 최모 씨가 설립한 업체로 A씨는 이 업체의 핵심 임원인 것으로 알려졌다.
서울경찰청 안보수사대는 지난 15일 A씨에 대해 구속영장을 신청했다.
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| 서울 서초동 서울중앙지법. [사진=뉴스핌DB] |
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