[수원=뉴스핌] 순정우 기자 = 경기도가 초고속 통신에 사용되는 시스템 반도체 소재 국산화를 추진한다.

도는 오는 2022년까지 총 30억원의 예산을 투입, 한국나노기술원과 함께 ‘시스템 반도체 국산화 연구지원 사업’을 추진할 계획이라고 24일 밝혔다.

삼성전자 클린룸 반도체 생산현장. [사진=삼성전자]

이번 사업을 통해 도는 초고속통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발할 계획이다.

인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등 물질의 표면에 별도화합물 반도체층을 성장시킨 것으로, 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼 보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있는 시스템 반도체 소재다.

5G, 사물인터넷(IoT), 자율차 등 ‘4차 산업혁명’ 실현을 위한 핵심부품을 제작하는데 사용되는 소재인 만큼 수요가 갈수록 증가할 것으로 예상되고 있다.

그러나 높은 개발비용과 연구인력, 인프라 등이 요구돼 중소기업 차원의 개발이 어려워 미국, 일본 등 해외 수입에 의존하고 있다.

도는 향후 3년간 개발비 지원을 통해 한국나노기술원이 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼 및 초고속통신소자(HEMT) 기술을 개발하도록 한 뒤 도내 중소기업과 대학, 연구소 등에 해당 기술을 제공, 시스템반도체 소재 독립 및 중소기업 매출 증대를 도모할 방침이다.

최병길 도 과학기술과장은 “해외 수입에 의존하고 있는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 초고속 통신소자(HEMT)를 국산화하게 될 경우, 시스템 반도체 소재 독립을 도모할 수 있는 것은 물론 중소기업의 매출도 크게 증가할 것으로 기대된다”라며 “반도체 기술 독립을 위해 해외의존도가 높은 소재 부품의 국산화 연구 사업을 지속적으로 발굴해 나갈 것”이라고 말했다.

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