[서울=뉴스핌] 조민교 기자 = 삼성전자가 인공지능(AI) 시대를 겨냥한 차세대 메모리 전략과 기술 로드맵을 공개했다. zHBM과 zNAND-O, 업계 최초 V10 BV-NAND를 비롯해 HBM5와 LPDDR5X-PIM 등 신기술을 선보였으며, 기조연설과 전시를 통해 AI 데이터센터부터 엣지 AI까지 아우르는 메모리 아키텍처의 방향성을 제시했다. 현장에서는 주요 제품을 둘러보려는 업계 관계자들의 발길이 이어졌고, V10 BV-NAND와 LPDDR5X-PIM은 'FMS Best of Show Award'를 수상하며 기술 경쟁력을 인정받았다.

6일 삼성전자에 따르면 미국 산타클라라에서 4일부터 6일까지 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026' 현장에는 행사 첫날부터 AI 시대의 메모리 기술을 확인하려는 업계 관계자들의 발길이 이어졌다. 삼성전자는 기조연설과 전시 부스를 통해 차세대 메모리 아키텍처와 AI 데이터센터·엣지 AI용 제품을 공개했다.

첫날 Mission City Ballroom에서 열린 기조연설은 행사 시작 전부터 참석자들로 좌석이 채워졌다. 이진엽 삼성전자 Flash개발실 부사장과 김경륜 DRAM개발실 상무는 'Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovation in Memory & Storage Architecture'를 주제로 발표에 나섰다.

이 자리에서 삼성전자는 zHBM과 zNAND-O, V10 BV(Bonding Vertical)-NAND를 공개했다. 발표가 진행되는 동안 참석자들은 제품 구조와 데이터 이동 방식, 기존 메모리와의 차이점 등을 메모하거나 발표 자료를 촬영했다.

전시장 안 삼성전자 부스도 관람객들로 붐볐다. 약 20평 규모로 마련된 부스는 하이라이트, Cloud AI, Edge AI 등 세 개 구역으로 구성됐다. D램과 낸드, 기업용 스토리지 등 약 30개 제품이 전시됐다.

가장 많은 관심이 쏠린 곳은 zHBM과 zNAND-O 목업이 놓인 하이라이트 존이었다. 관람객들은 전시대 주변에 모여 제품 구조를 살폈고, 현장 직원에게 적용 분야와 상용화 가능성을 묻는 모습도 이어졌다.

Cloud AI 존에서는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현한 V10 BV-NAND가 전시됐다. 셀과 주변 회로 구조를 보여주는 목업과 영상이 함께 마련돼 제품 내부 구조를 한눈에 확인할 수 있도록 했다.

HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 HBM5도 전시장에 모습을 드러냈다. HBM5 전시 공간에는 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용한 웨이퍼와 칩, 제품 구조를 비교할 수 있는 목업이 배치됐다.

Edge AI 존에서는 LPDDR5X-PIM이 눈길을 끌었다. PIM은 메모리 내부에서 일부 연산을 수행해 데이터 이동을 줄이는 기술이다. 현장 관계자들은 zHBM과 LPDDR5X-PIM이 서로 다른 방식으로 AI 시스템의 병목을 줄이려는 기술이라는 점에 관심을 보였다.

행사 첫날 저녁 열린 FMS Award 시상식에서는 V10 BV-NAND와 LPDDR5X-PIM이 'FMS Best of Show Award'를 수상했다. 시상식 이후에도 수상 제품이 전시된 공간에는 관람객들이 모였고, 연구진과 제품 구조 및 적용 가능성을 두고 질의응답을 이어갔다.

현장에서 만난 한 글로벌 AI 서버 기업 관계자는 "메모리 자체가 데이터를 저장하는 역할을 넘어 연산 효율까지 높이는 방향으로 진화하고 있다는 점이 인상적이었다"고 말했다. 또 다른 관람객은 "zHBM과 LPDDR5X-PIM은 서로 다른 접근 방식이지만, 모두 AI 시스템의 병목 현상을 줄이기 위한 기술이라는 점이 흥미로웠다"고 평가했다. 

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