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"하이닉스, 비중확대 적기"-키움

기사입력 : 2010년02월17일 08:55

최종수정 : 2010년02월17일 08:55

[뉴스핌=이연호 기자] 키움증권의 김성인 애널리스트는 17일 하이닉스반도체에 대해 "오버행 이슈로 주가가 부진한데 오히려 현시점이 비중확대의 적기로 판단된다"고 말했다.

김 애널리스트는 이에 대해 "반도체 산업의 장기호황으로 이 회사 실적 호조세가 지속될 전망이며, 오버행 이슈는 주가에 선반영됐다"며 "2010~2011년 밸류에이션 지표상 이 회사의 주가는 현저히 저평가 돼 있기 때문"이라고 설명했다.

또한 김 애널리스트는 "삼성전자와 AMAT의 관계를 고려해 볼 때 그동안 미국 AMAT로부터 수입해오던 반도체 전공정 장비의 상당 비중을 국내업체 장비로 대체할 것으로 보인다"며 "향후 기술유출 가능성 등을 고려할 때 주요 전공정 장비의 국산화율은 지속적으로 증가할 가능성이 높아 보인다"고 밝혔다.

다음은 리포트 내용.

▲ 메모리 반도체 가격 : DDR3 DRAM과 NAND Flash 메모리 가격 Flat 예상

- 2월에 소폭 반등한 DDR3 DRAM과 NAND Flash 메모리 가격은 수급이 Tight함에도 불구하고 현 수준에서 유지될 것으로 예상. 반면에 수요가 감소하고 있는 DDR2 DRAM 가격은 점진적으로 하락할 것으로 예상.

① PC 판매 호조, Window7 (DDR3 탑재) 비중급증에 따른 PC Box당 메모리 용량 증가,
② 계절적 비수기에도 불구하고 대용량 NAND Flash 메모리를 탑재한 Smart Phone 수요가 급증하고, 새로운 Killer Application인 태블릿 PC, Smartbook 출시, SSD의 점진적 시장형성으로 NAND Flash 메모리 수요 급증.
③ 반면에 대만 DRAM 업체인 Promos, Powerchip, Winbond의 가동률은 저조한 상황이며 Process Migration (60nm공정) 지연으로 DDR3 DRAM 생산 여부는 불투명해 보임.

▲ 삼성전자/Toshiba의 Capex 대폭 증가 ⇒ 그럼에도 메모리 수급은 2011년까지 Tight

- 삼성전자 2010년 반도체 Capex 8조원 이상(Max 9조원), Toshiba 2010년~2012년에 걸쳐 9조원(8천억엔) 투자, 대만 업체의 자금 조달 가능성 우려로 시장은 메모리 반도체의 수급악화를 우려하고 있음.

- 하지만 이 같은 투자에도 불구하고 메모리 반도체 산업의 수급은 2011년까지 Tight할 것으로 예상.
삼성전자의 대규모 Capa 증설에도 불구하고 증설 Capa의 절반이 2011년 중반부터 생산에 반영되고 Toshiba도 3년에 걸친 투자 등으로 메모리 반도체의 공급량 증가는 제한적인 수준에 그칠 것으로 분석됨.

- 즉, 2010년과 2011년의 Output 생산 Capa(Wafer 기준) 증가율은 각각 9%YoY, 16%YoY 증가에 그칠 것으로 보임. 여타 경쟁사 대비 공정기술력이 절대적으로 취약하고 현금흐름에도 문제가 있는 대만의 Powerchip, Promos, Winbond의 독자 생존이 불가능하여 매각 또는 M&A 등이 불가피하다는 점을 고려할 때 생산 Capa 증가율이 우리의 추정치를 하회할 가능성이 매우 높음.

▲ 삼성전자의 대규모 Capex, AMAT-삼성전자와의 관계 변화 : 국내 전공정 장비 업체들 주목

- ① 삼성전자 2010년 반도체 Capex 8조원 이상(Max 9조원)으로 급증하고 2011년 Capex도 상당할 것으로 예상되며, ② Cash Flow 고려할 때 하이닉스의 2010년과 2011년의 Capex도 지속적으로 증가할 것으로 예상됨.

- 삼성전자와 AMAT와의 관계를 고려해 볼 때, 그 동안 미국 AMAT로부터 수입해오던 반도체 전공정 장비의 상당 비중을 국내업체 장비로 대체할 것으로 보임. 향후 기술유출 가능성 등을 고려할때, 주요 전공정 장비의 국산화율은 지속적으로 증가할 가능성이 높아 보임.

▲ 국내 메모리 업체 Process Migration 순항 중 ⇒ 해외 경쟁사 대비 원가 경쟁력 배가

- 국내 메모리 업체인 삼성전자와 하이닉스의 ① DRAM 공정이 50nm 공정에서 40nm 공정으로 Shift 중에 있고, ② NAND Flash 메모리 공정도 30nm 공정으로 급격히 Shift 진행중.

- 특히 1’st Tier 인 삼성전자는 3Q10후반부터 DRAM과 NAND Flash 메모리용으로 각각 30nm 공정과 20nm 공정으로 본격 Shift가 예상됨.

- 양사의 분기단위 실적은 ① 40nm 공정을 적용한 DDR3 DRAM 및 2Gb 제품 비중 급증(1Q10 60% 상회), ② 30nm 공정을 적용한 32Gb MLC/TLC 제품 비중 급증(4Q09 35% →1Q10 50%)에 따른 획기적 원가절감으로 사상최대의 이익을 기록했던 4Q09 실적을 상회하는 신기록 행진 지속할 전망.

- 그럼에도 불구하고 삼성전자와 하이닉스 주가는 1개월간 Kospi 대비 각각 -1.2%, -4.3% Underperform 하고 있음. 특히 Overhang Issue로 하이닉스의 주가 performance가 부진한데 우리는 현시점이 비중확대의 적기로 판단.

① 반도체 산업의 장기호황(업계 구조조정으로 업황 Down-Cycle 리스크 현저히 저하되었다고 판단)으로 동사 실적 호조세 지속될 전망이며,

② 채권단 지분 매각 이슈로 고점 대비 20.2% 하락한 21,300원에 거래되고 있는데 이같은 Overhang 이슈는 주가에 선반영되었다고 판단되며,

③ 2010~2011년 Valuation 지표상 동사의 주가는 현저히 저평가 되어있기 때문.

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