据韩国三星电子25日消息,公司开发了业内首款容量达512GB的DDR5内存模组。模组使用高电介质金属栅极(High-K Metal Gate ,HKMG)工艺,可提供超过DDR4内存一倍的性能表现。
资料图。【图片=三星电子提供】 |
单DRAM芯片容量为16Gb(2GB),通过TSV穿孔实现8层堆叠,即16GB,凑成512GB的话总计需32颗。
在速度方面,DDR5内存条速度达7200Mbps,即7200MHz频率。即便如此,功耗反而下降13%。
三星电子表示,公司是目前全球唯一一家使用HKMG工艺制造内存芯片的半导体企业。随着该技术引进D-RAM制造,将为客户提供高性能、高效率的内存解决方案,将运用于医学研究、自动驾驶和智慧城市等领域。