[서울=뉴스핌] 배상희 기자 = 중국이 첨단 반도체 제조에 필요한 극자외선(EUV) 광원 기술 개발에서 진전을 이뤘다. 공개 전시된 중국산 EUV 광원 시스템 시제품의 국산화율이 90%에 도달했지만, 본격적인 양산까지는 3~5년이 더 필요할 전망이다.

중국 상하이의 주요 당 기관지인 해방일보(解放日報)를 발행하는 해방일보사가 운영하는 뉴스 매체인 상관신문(‌上觀新聞)에 따르면 10월 14일 상하이에서 열린 제26회 중국국제공업박람회에서 중국 기술기업 랑다오쑤이옌(朗道燧巖·Langdao Silex)이 EUV 광원 시스템 시제품을 처음 공개했다. 현장 관계자는 공개 전시된 중국산 EUV 광원 시제품 가운데 개발 진척도가 가장 앞선 사례라고 설명했다.

EUV 광원은 7나노미터(㎚) 이하 첨단 반도체 제조에 필요한 핵심 부품 중 하나로, 고급 노광장비의 '심장'으로 불린다. 중국은 해외 기술 독점과 수출 제한으로 관련 기술 확보에 어려움을 겪어왔다.

이번 시제품은 핵심 부품 대부분을 자체 개발해 국산화율 90%를 달성했으며, 국제 선도 기업과 같은 기술 경로를 적용했다. 칩 노광 테스트에도 사용할 수 있다. 다만 기술 검증과 산업화 과정을 거쳐 양산 단계에 도달하기까지는 3~5년이 걸릴 것으로 예상된다.

이번 공개는 중국산 EUV 광원 기술이 실험실 연구를 넘어 산업화로 나아가는 진전이라는 점에서 의미가 있다. 다만 시제품의 높은 국산화율이 곧바로 상용화나 양산 능력을 의미하는 것은 아니며, 향후 기술 안정성과 생산 공정 검증이 주요 과제로 남아 있다.

랑다오쑤이옌은 첨단 반도체 제조에 필요한 EUV 노광 광원 시스템을 개발하는 중국 기술기업이다. 

핵심 기술은 LPP(Laser-Produced Plasma·레이저 생성 플라스마) 방식의 EUV 광원이다. 레이저를 이용해 플라스마를 생성하고 여기서 나오는 극자외선 빛을 활용하는 기술로, 첨단 반도체 노광장비에 필요한 광원을 구현하는 것이 목표다. 회사는 특히 고출력과 높은 안정성을 갖춘 광원 시스템 개발에 주력하고 있다.

회사 공식 홈페이지에 따르면 저출력 EUV 광원 시스템인 'FlintNano LPP-OXXO'는 제품화 단계에 진입했다. 구동 레이저 출력은 1000W이며, 레이저 반복 주파수는 1~20kHz다. 광변환 효율은 2%를 웃돌고, EUV 출력 에너지는 15W를 초과한다. 연속 운전 시간은 100시간 이상이며, 플라스마 크기는 60마이크로미터(㎛)다.

고출력 EUV 광원 시스템인 FlintMicro-LPP 시리즈는 원리 검증을 완료한 상태다.

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