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[GAM] 비샤이 인터테크놀로지 ② 신제품 출시 가속하며 사상 최고가 경신

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AI 핵심 요약

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  • 비샤이 인터테크놀로지는 5월~6월 신제품 다수를 내놓으며 하반기 수주 파이프라인 선점에 나섰다.
  • 회사는 대규모 12인치 팹 투자로 잉여현금흐름이 마이너스를 기록하고, 높은 실효세율과 원자재·물류비 상승으로 단기 수익성 부담이 크다.
  • 수주잔고 증가와 구조적 수요 성장으로 사이클 상승 국면 진입이 기대되지만, 높은 PER와 이익 기반 취약성으로 신제품이 실적·마진 개선으로 이어지는지 확인이 필요하다.

!AI가 자동 생성한 요약으로 정확하지 않을 수 있어요.

AI 수요 증가 맞춰 전력 관리 부품 공급
연속 신제품 출시로 하반기 수주 준비
재무 부담 속 지속적 성장 모멘텀 유지

이 기사는 6월 5일 오후 4시49분 '해외 주식 투자의 도우미' GAM(Global Asset Management)에 출고된 프리미엄 기사입니다. GAM에서 회원 가입을 하면 9000여 해외 종목의 프리미엄 기사를 보실 수 있습니다.

<비샤이 인터테크놀로지 ① 전동화·AI 수요 맞물려 사이클 반등 본격화>에서 이어짐

[서울=뉴스핌] 김현영 기자 = ◆ 연속 신제품 출시...하반기 수주 파이프라인 선점 전략

비샤이 인터테크놀로지(종목코드: VSH)의 제품 전략을 가장 압축적으로 보여주는 것은 5~6월에 집중된 신제품 발표 행진이다. 이 시기의 출시 공세는 단순한 신제품 발표가 아니라, 하반기 수주 파이프라인을 조기에 확보하기 위한 의도적인 사이클 전략으로 읽힌다. 고객사의 설계 채택 결정이 통상 수개월의 검토 과정을 거친다는 점에서 지금의 신제품 출시는 하반기 이후 매출로 이어지는 씨앗을 뿌리는 작업이다.

비샤이 인터테크놀로지 로고 [사진=업체 홈페이지 갈무리]

▷ 3000W TVS 다이오드: 자동차·산업 이중 라인업 (5월 13일)

비샤이는 새로운 DFN6546A 패키지에서 3000W 전력 소산 성능을 제공하는 과도전압억제기(TVS) 4개 시리즈를 출시했다. 자동차용 T3KNxxA·T3KNxxCA 시리즈(AEC-Q101 인증, 최대 185°C 동작)와 산업용 3KDFNxxA·3KDFNxxCA 시리즈(LL15i 산업 신뢰성 인증)로 구성된 이중 라인업이다.

비샤이 인터테크놀로지의 T3KN12A-T3KN24A [자료=업체 홈페이지]

이 소자의 핵심은 패키지 혁신에 있다. 6.5mm×4.6mm, 높이 0.88mm의 DFN6546A 패키지는 기존 SMPC 패키지와 풋프린트 호환이 가능하면서도 프로파일을 20% 낮추고, SMC 패키지 대비 동일한 전력 소산 성능을 유지하면서 부피를 76% 줄였다. 습윤성 측면(wettable flanks) 구조를 채택해 X선 검사 없이 자동 광학 검사가 가능하고, 최대 260°C의 내열성을 갖췄다. 자동차 ADAS, 라이다, 배터리 관리 시스템(BMS), 트랙션 인버터부터 산업용 로봇 제어 보드, 에너지 저장 시스템, 의료 장비까지 폭넓게 적용된다.

▷ AEC-Q102 옵토커플러: 고압 EV 안전 기준 완벽 대응 (5월 20일)

비샤이 인터테크놀로지의 VOWA617A와 VOWA618A [자료=업체 홈페이지]

전기차 및 태양광 인버터 전용 자동차 등급 옵토커플러 2종, VOWA617A와 VOWA618A가 공개됐다. 이 제품의 핵심 경쟁력은 절연 성능이다. 절연 전압 5,300VRMS, VIOTM 8,000V피크의 수치는 고압 전기차 시스템이 요구하는 안전 기준을 넉넉히 충족하며, CTI 600 등급으로 가장 높은 절연 등급인 재료 그룹 1을 획득했다. 동작 온도 범위는 -40°C~+125°C이며, AEC-Q102 인증을 획득했다. VOWA617A는 5mA 입력 전류에서 전류 전달비(CTR) 50~600%를 제공하고, VOWA618A는 저전력 1mA 입력 전류에서 동일 범위를 지원한다. 주요 적용처는 계통 연계형 차량용 충전기(OBC), DC/DC 컨버터, BMS 절연 단계다.

▷ IHXL 인덕터 시리즈 확장: 가격 경쟁력으로 시장 점유율 공략 (5월 27일)

비샤이 인터테크놀로지의 IHXL1500VZ-31 [자료=업체 홈페이지]

비샤이 데일(Dale) 브랜드로 IHXL 시리즈 방사형 관통홀 인덕터 4종이 추가됐다. 신규 철합금 코어 소재 적용으로 기존 세대 대비 코어 손실을 20% 줄이고 온도 상승을 억제하면서도 최고 155°C의 고온 환경에서 안정적으로 동작한다. 인덕턴스 범위는 0.68~10µH이며, 두꺼운 내부 동 도체를 통해 55A에서 최대 209A의 광범위한 부하를 지원한다. 분말 압착 철심 바디를 갖춘 자기 차폐 구조는 EMC 성능을 강화하고, 소프트 포화 코어 소재를 적용해 높은 과도 전류 급등 시에도 안정적인 인덕턴스를 유지한다. 이전 세대 IHXL 시리즈보다 낮은 가격으로 공급된다는 점에서, 비샤이는 이 제품을 시장 점유율 확대의 도구로 활용할 것으로 보인다.

▷ VS-HOT200C080 전력 모듈: 48V EV 시스템 직공략 (6월 3일)

비샤이 인터테크놀로지의 VS-HOT200C080 [자료=업체 홈페이지]

경량 전기차(LEV)와 마일드 하이브리드 전기차(MHEV) 시장을 겨냥한 200A 전력 모듈이 출시됐다. 48V 견인 인버터와 벨트 스타터 제너레이터·회생제동 시스템에 특화된 이 제품은 0.45mΩ의 온저항을 구현한 80V MOSFET을 하프 브리지 구성으로 탑재해 경쟁 제품 대비 전도 손실을 32% 낮추며, 기존 개별 부품 대비 기판 공간을 최대 15% 절감한다. 30mm×22.8mm 크기의 절연형 트랜스퍼 몰드 FlatPAK HC0 패키지 안에 80V MOSFET, 전류 측정용 션트 저항, 바이패스 커패시터, 온도 감지용 NTC 서미스터를 하나로 통합한 고집적 설계가 특징이다. 동작 온도 범위는 -55°C~+175°C이며, AQG-324 자동차 신뢰성 인증을 충족해 글로벌 완성차 공급망 진입 요건을 갖췄다.

◆ 성장 전환기의 부담과 과제

고무적인 영업 성과와 함께 경영진은 단기 재무 부담도 솔직히 인정했다. 이번 분기 설비투자는 1억 1,100만 달러에 달했으며, 이 중 약 8,700만 달러가 12인치 팹에 투입됐다. 대규모 투자 지출이 현금 창출을 웃돌면서 잉여현금흐름(FCF)은 마이너스 4,700만 달러를 기록했다. 비샤이는 1분기 말 기준 현금 및 단기투자 자산 4억 8,000만 달러를 보유 중이지만, 미국 내 자금 수요를 충당하기 위해 리볼빙 신용 한도에서 2억 5,000만 달러를 인출하는 등 미국 사업 부문에서는 순차입 상태를 유지하고 있다.

비샤이 인터테크놀로지 로고 [사진=업체 홈페이지]

세율 측면도 단기 EPS에 부담으로 작용한다. 비샤이는 세전이익 규모가 작은 상황에서 GAAP 기준 실효세율이 비정상적으로 높게 유지되는 문제에 직면해 있으며, 2분기 가이던스로는 40~50%의 세율이 제시됐다. 이 같은 높은 세율은 EPS 변동성을 확대하고 실질적인 영업 개선 효과를 부분적으로 상쇄하는 요인이 된다.

비용 측면에서는 금속 및 원자재 비용 상승과 물류비 증가라는 지속적인 압박에 직면해 있다. 2분기 매출총이익률 가이던스 약 22%(±50bp)에는 이러한 비용 부담과 함께 신규 시설 가동 초기의 비효율성이 이미 반영돼 있어, 단기적인 마진 개선 속도는 제한될 것으로 보인다. 현재 이익률이 장기 목표치인 매출총이익률 31%에 크게 못 미친다는 점도 투자자가 인식해야 할 현실이다.

주주 환원 측면에서는 분기 배당금 1,360만 달러 지급을 유지했으나, 자사주 매입은 이번 분기에 전혀 이루어지지 않았다. 경영진은 대규모 설비투자와 구조조정이 진행 중인 현 상황에서 자사주 매입에 나설 여력이 없다는 점을 분명히 했다. 2026년에는 잉여현금흐름이 마이너스를 이어갈 것으로 전망된다.

한편 이전까지 수익성 저해 요인으로 지목됐던 뉴포트 팹은 이번 분기 매출총이익 기준으로 거의 손익분기점 수준에 도달했다. 그러나 비샤이는 뉴포트 팹의 개별 실적 지표 공개를 중단하기로 결정해, 향후 증설 초기 비용의 추이와 연결 마진에 대한 영향을 파악하기가 어려워졌다는 점에서 투자자들의 정보 접근성이 다소 제한될 전망이다.

◆ 기회와 리스크의 균형

비샤이의 현재 상승 모멘텀은 실질적인 경기 반등과 신뢰할 수 있는 사업 턴어라운드에 근거한다. 수주잔고 급증, 연속적인 신제품 출시, 자동차·산업·AI 인프라 수요의 구조적 성장이 맞물리는 지금, 비샤이는 오랜 침체의 끝에서 본격적인 사이클 상승 국면의 문턱을 넘어서고 있다는 평가가 설득력을 얻고 있다.

그러나 투자자들이 눈여겨봐야 할 리스크도 존재한다. 현재 선행 주가수익비율(포워드 PER)은 59.8배로 역사적 평균을 대폭 상회한다. 높은 자본 집약도와 아직 마이너스를 벗어나지 못한 순이익 기반은 여전히 투자자들이 감내해야 할 불확실성이다. 이번 5~6월에 집중된 신제품 출시가 하반기 수주로 전환되고, 그것이 다시 매출과 마진 개선으로 이어지는 선순환이 확인돼야 비로소 현재의 높은 멀티플이 정당화될 수 있다.

비샤이 3.0의 최종 목표인 2029년 순이익 3억 1,360만 달러 달성은 아직 상당한 여정을 남겨두고 있다. 그러나 생산 능력 확충을 차질 없이 완수하고 수요 기반이 유지된다면, 현재의 단기적 부담은 오히려 더 높은 수익성의 다음 사이클을 위한 발판이 될 수 있다. 

kimhyun01@newspim.com

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[단독] CXMT 증권신고서 보니 [서울=뉴스핌] 정승원 김정인 기자 = 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 기업공개(IPO)를 계기로 생산능력 확대와 공정 고도화에 나선다. 고대역폭메모리(HBM)에서는 삼성전자와 SK하이닉스에 뒤처져 있지만, DDR5와 LPDDR5X 등 범용·모바일 D램부터 중국 내 수요를 장악해 글로벌 3강 체제를 흔들겠다는 전략이다. CXMT가 대규모 자금을 확보해 생산량과 수율을 끌어올릴 경우 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해 온 D램 시장의 고객·가격·공급 질서에도 변화가 불가피할 것으로 보인다. 21일 뉴스핌이 입수한 CXMT의 상하이증시 상장 등록용 증권신고서에 따르면 회사는 글로벌 메모리 시장에서 경쟁력을 높이기 위한 최우선 과제로 생산능력 확대를 제시했다. 삼성전자와 SK하이닉스에 비해 생산 규모와 시장점유율이 낮아 규모의 경제를 충분히 실현하지 못하고 있다는 판단에서다. 특히 HBM에서는 기술 격차가 뚜렷한 만큼 단기간에 정면 승부를 벌이기보다 DDR5와 LPDDR5X 등 이미 시장이 형성된 제품부터 경쟁력을 높인다는 구상이다. [AI 인포그래픽= 정승원 기자] ◆ HBM 격차 인정...D램 생산능력 확대로 승부수 CXMT는 중국 1위이자 세계 4위 D램 업체다. 다만 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 글로벌 3사와 비교하면 생산능력과 시장점유율, 제품 포트폴리오에서 여전히 격차가 크다. 중국 내 D램 수요조차 자국 생산만으로 충분히 충당하지 못하는 상황이다. CXMT는 증권신고서에서 인공지능(AI) 시장 확대에 대응해 D램 사업을 강화하겠다는 계획을 밝혔다. 다만 HBM의 구체적인 양산 시점이나 공급 계획은 제시하지 않았다. 현재 CXMT가 삼성전자·SK하이닉스와 HBM 상용화 경쟁을 벌일 단계는 아니라는 점을 사실상 인정한 것으로 풀이된다. 업계에서는 CXMT의 HBM 기술이 선두 업체보다 2~4년 뒤처진 것으로 평가한다. 이에 CXMT는 AI 시장의 성장성을 인정하면서도 당장 HBM을 앞세우기보다 DDR5와 서버용 D램 등 기존 제품군의 생산과 기술 경쟁력을 끌어올리는 전략을 택했다. 가장 시급한 과제로는 생산능력 부족을 꼽았다. 현재 생산 규모로는 제조원가를 낮추고 수율을 안정화하는 데 한계가 있다는 것이다. 결국 삼성전자와 SK하이닉스가 확보한 규모의 경제에 접근하려면 생산량 자체를 대폭 늘려야 한다는 판단이다. CXMT는 이번 상장을 통해 46억달러(약 6조8100억원)를 조달하는 것을 목표로 하고 있다. 확보한 자금은 생산라인 확대와 공정 전환, 연구개발에 투입해 생산성과 원가 경쟁력을 동시에 높이는 데 활용할 예정이다. 우선 중국 시장 내 공급 비중을 높이는 데 집중한다. 중국은 세계 최대 D램 소비국이지만 자국 업체의 공급 비중은 낮다. CXMT는 중국 시장에서 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 제품을 대체한 뒤 이를 기반으로 글로벌 시장 진출을 확대한다는 구상이다. CXMT가 상하이증시에 상장하면서 제출한 증권신고서 원문. [서울=뉴스핌] = 2026.07.21 hkj77@hanmail.net ◆ DDR5 중심 D램 개발 및 고도화 CXMT는 생산능력 확대를 위한 주요 과제로 생산라인 증설과 공정 업그레이드, 웨이퍼 생산량 확대를 제시했다. 생산 규모를 키워 제조원가를 낮추고 수율을 높여 수익성을 개선한다는 전략이다. 글로벌 메모리 시장은 저용량·저속 제품에서 고용량·고속 제품 중심으로 빠르게 이동하고 있다. CXMT도 상장 자금을 활용해 DDR5와 LPDDR5X, 서버용 D램의 비중을 높이고 제품 포트폴리오를 고부가 제품 중심으로 재편할 계획이다. 조달 자금은 생산라인 업그레이드와 제조공정 개선, 차세대 D램 연구개발에 투입된다. 공정 미세화를 통해 웨이퍼당 생산량을 늘리고 원가와 전력소비를 낮추는 동시에 수율을 높이는 것이 목표다. 단순히 공장 규모만 늘리는 것이 아니라 생산성과 제품 성능을 함께 개선해 글로벌 업체와의 격차를 줄이겠다는 것이다. 핵심 제품은 DDR5와 LPDDR5X다. DDR5는 AI 서버와 데이터센터, 클라우드, 고성능컴퓨팅 등에 사용되는 제품으로 DDR4보다 제조 난도가 높고 미세공정과 수율 관리가 중요하다. DDR5 경쟁력은 곧 공정기술과 생산효율을 가늠하는 지표인 셈이다. CXMT는 DDR5 생산능력을 확대해 단위당 원가를 낮추고 서버·PC용 D램 시장에서 점유율을 확보할 계획이다. LPDDR5X는 AI 스마트폰과 노트북, 태블릿PC, AI PC 등 모바일·저전력 시장을 겨냥한다. DDR5로 서버와 PC 시장을, LPDDR5X로 모바일 시장을 동시에 공략하는 구조다. 스마트폰 화면에 표시된 CXMT 로고. [사진=블룸버그통신] ◆ 중국서 CXMT 제품 공급 확대...삼성·SK하이닉스 영향 불가피 CXMT는 중국 기업들이 사용하는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 D램을 자국산 제품으로 대체하는 '수입 대체'를 주요 성장 전략으로 제시했다. 중국 스마트폰·PC·서버 업체가 수입해 사용하는 메모리를 CXMT 제품으로 바꿔 중국 시장 내 공급률을 높이겠다는 것이다. D램 생산에 그치지 않고 장비와 소재, 부품, 설계, 패키징 등 중국 메모리 생태계 전반의 국산화도 추진한다. 이번 상장은 단순한 운영자금 확보가 아니라 CXMT를 중심으로 중국 내 D램 공급망을 구축하기 위한 기반 마련이라는 의미가 크다. CXMT의 중국 내 공급 확대가 본격화하면 삼성전자와 SK하이닉스도 영향을 피하기 어렵다. CXMT의 D램 평균판매가격은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론보다 약 30% 낮은 것으로 평가된다. 생산 확대와 공정 고도화로 품질과 수율까지 개선할 경우 가격 경쟁력은 더 커질 수 있다. CXMT가 낮은 가격과 중국 내수 기반을 앞세워 물량을 늘리면 삼성전자와 SK하이닉스는 중국 고객을 지키기 위해 가격을 낮추거나 범용 D램 생산을 고부가 제품으로 더 빠르게 전환해야 하는 압박을 받을 수 있다. 특히 CXMT가 당장 HBM보다 DDR5와 LPDDR5X 등 범용·모바일 D램을 공략한다는 점에서 삼성전자가 상대적으로 직접적인 영향을 받을 가능성이 크다. SK하이닉스도 HBM에서는 기술 우위를 유지하고 있지만, 범용 D램 공급 증가로 전체 시장 가격이 낮아질 경우 수익성 압박을 받을 수 있다. CXMT의 위협은 단기간에 삼성전자와 SK하이닉스를 기술로 추월하는 데 있지 않다. 중국 내수시장과 대규모 생산능력을 바탕으로 범용 D램 공급을 빠르게 늘려 두 회사의 고객 기반과 가격 결정력을 약화할 수 있다는 점이 더 현실적인 위험으로 꼽힌다. origin@newspim.com 2026-07-21 08:01
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긍정 영향 종목

  • Lockheed Martin Corp. Industrials
    우크라이나 안보 지원 강화 기대감으로 방산 수요 증가 직접적. 미·러 긴장 완화 불확실성 속에서도 방위산업 매출 안정성 강화 예상됨.

부정 영향 종목

  • Caterpillar Inc. Industrials
    우크라이나 전쟁 장기화 시 건설 및 중장비 수요 불확실성 직접적. 글로벌 인프라 투자 지연으로 매출 성장 둔화 가능성 있음.
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