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[서울=뉴스핌] 김정인 기자 = SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E를 2026년부터 양산한다. 계획보다 양산 시기를 1년 앞당긴 것이다.
김귀욱 SK하이닉스 HBM첨단 기술팀장은 13일 '국제메모리워크숍(IMW 2024)'에서 차세대 HBM 개발 방향을 공유하며 이같이 밝혔다.
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| SK하이닉스 'HBM3E' [사진=SK하이닉스] |
김 팀장은 "그동안 HBM은 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 설명했다. 이어 "HBM4 의 경우 이전 세대 대비 대역폭은 1.4배, 집적도는 1.3배, 전력 효율은 30% 개선될 것"이라며 구체적인 성능을 밝히기도 했다.
반도체 업계에서는 HBM4E가 16단~20단 제품이 될 것이란 전망이 나오고 있다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4 16단 제품을 2026년에 양산하겠다는 계획을 세웠다.
SK하이닉스는 HBM4에 도입하기로 한 '하이브리드 본딩' 공정 방식은 수율 문제로 적용이 어려울 수도 있다는 점을 내비쳤다. 하이브리드 본딩 공정은 기존 MR-MUF 방식에서 업그레이드 된 기술이다.
김 팀장은 "HBM4에서 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구하고 있지만 현재까지 이 방법은 수율이 높지 않다"고 말했다.
kji01@newspim.com
