纽斯频通讯社首尔9月1日电 据韩国三星电子1日消息,公司推出功耗更低、容量更好的全新32Gb DDR5 DRAM。
【图片=三星电子提供】 |
该DRAM基于三星12纳米工艺,不仅提供业界最高的单颗DRAM芯片容量,还在相同封装尺寸实现双倍于16Gb DDR5 DRAM的容量。
这一创新使得无需使用硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB DRAM模块,同时与16Gb DRAM模块相比,功耗降低了约10%。
三星电子表示,此次新品的成功研制意味着为开启1太字节(TB)DRAM模块时代成功创造出关键技术。
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社