[서울=뉴스핌] 이지용 기자 = SK하이닉스가 '321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며 300단 이상 낸드 개발을 공식화했다. 메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 내놓은 것은 SK하이닉스가 최초다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS) 2023'에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell)' 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다고 9일 밝혔다. TLC는 한 개의 셀에 3개 비트의 데이터를 저장하는 방식이다.

SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 오는 2025년 상반기부터 양산할 계획이다. 

321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.

최근 메모리 시장은 생성형 인공지능(AI) 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능, 고용량 메모리 수요가 급격히 증가하고 있는 만큼 SK하이닉스는 이번 신제품을 통해 고객 수요를 충족시킬 것으로 보고 있다.

SK하이닉스는 "양산중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 입장을 내놨다.

앞으로 SK하이닉스는 이번 신제품을 통해 자체 솔루션 개발 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 알리며, 업계 기술 트렌드를 선도할 방침이다.

최정달 SK하이닉스 부사장은 행사 기조연설에서 "당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획"이라며 "AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다"고 말했다.

leeiy5222@newspim.com