纽斯频通讯社首尔8月28日电 韩国SK海力士28日表示，公司将在美国印第安纳州投资超过40亿美元建设高带宽存储器（HBM）先进封装生产基地。美国联邦政府、州政府、大学及地方政府将提供资金、税收、土地及基础设施等多方面支持。

据SK海力士及美国政府方面消息，美国商务部将依据《芯片与科学法案》向SK海力士提供最高4.58亿美元直接补贴和最多5亿美元贷款，合计最高9.58亿美元。

上述直接补贴将根据项目建设、技术开发、生产和商业化等阶段性目标的完成情况分阶段发放，而非一次性支付。SK海力士还计划利用美国财政部先进制造业投资税收抵免政策。

印第安纳州也将提供多项支持。印第安纳经济发展公司将以SK海力士投资和创造就业等为条件，提供最高5.547亿美元税收返还，并提供最高8000万美元绩效挂钩支持和4500万美元基础设施改善支持。加上人才培训和制造能力提升等方面的支持，印第安纳州已明确金额的支持总额最高为6.8570亿美元。

普渡大学及普渡研究基金会将提供约6000万美元规模的支持，包括以优惠价格提供位于普渡研究园区的项目用地，并赋予SK海力士未来获得额外土地的选择权。双方还计划在生产、研发、人才培养和当地供应链建设等方面开展合作。西拉斐特、拉斐特市和蒂珀卡努县等地方政府也将参与提供相关激励措施。

美国政府及相关方面高度重视此次投资，主要原因在于HBM是人工智能（AI）加速器的重要存储器件，而美国本土HBM生产基础相对不足。美国正通过吸引海外半导体企业投资，降低对海外半导体生产能力的依赖，并完善本土半导体供应链。

美国商务部芯片项目相关负责人表示，美国要在AI和高性能计算领域保持技术领先，需要与SK海力士等全球合作伙伴共同推动存储器技术和先进封装技术发展。SK海力士在印第安纳州建设相关生产和研发能力，将进一步强化美国在全球半导体供应链关键环节的地位。

SK海力士计划将此次投资打造为连接韩国HBM生产基地和美国客户的重要生产枢纽。公司将在韩国生产HBM晶圆后运往美国印第安纳州，在当地完成先进封装和测试，再向美国客户供应产品，从而建立韩美一体化生产体系。

在当地供应链方面，SK海力士目前正与100多家合作企业就印第安纳工厂所需的材料、零部件和设备供应体系展开协商。公司还计划建设先进封装研发中心，与当地客户、大学和合作企业共同开发下一代封装技术，建立从样品制作到性能验证的研发体系。

SK海力士还将与普渡大学开展HBM系统集成和先进封装技术联合研究，并计划将合作范围扩大至美国中西部其他主要大学和研究机构。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社