纽斯频通讯社首尔8月6日电 中国长鑫存储（CXMT）已进入新一代移动存储芯片LPDDR6研发收尾阶段，并计划今年下半年推进试生产和量产。业内认为，随着中国企业不断提升高性能存储产品研发能力，全球DRAM市场竞争正由通用型产品进一步向高端产品领域延伸。

据韩国半导体行业及外媒消息，长鑫存储已完成最高传输速度达12.8Gbps的LPDDR6研发验证，在继LPDDR5、LPDDR5X之后进一步完善产品布局。目前，公司在全球DRAM市场份额约为7%，并与腾讯签署大规模服务器DRAM供应协议，客户群持续扩大。报道称，惠普、华硕、宏碁等部分国际PC厂商也正评估或有限采用长鑫存储产品，以应对存储芯片供应紧张局面。

业内人士认为，目前人工智能（AI）服务器带动全球存储芯片需求持续高于供给，即使长鑫存储产品价格与三星电子、SK海力士相比没有明显优势，也能够实现销售，为其扩大市场份额提供了有利条件。

不过，随着长鑫存储新工厂投产以及全球DRAM供需趋于平衡，未来市场竞争可能进一步加剧。若长鑫存储依托政策支持和国内市场扩大市场份额，全球通用DRAM价格或面临更大下行压力。

面对竞争，韩国SK海力士正采取"双轨战略"。一方面，在通用DRAM市场推出性能更高、功耗更低的高附加值产品，准备供应采用最新1c工艺的LPDDR6产品，其数据处理速度较LPDDR5X提高33%，功耗降低20%以上，主要面向端侧人工智能智能手机和平板电脑市场。

另一方面，SK海力士继续加大高带宽存储器（HBM）布局。公司今年已开始量产HBM4，并于6月向主要客户提供12层HBM4E样品。HBM4E最高单引脚传输速度可达16Gbps，较HBM4功耗降低20%以上，热阻降低17%。公司还计划在下一代HBM5产品中采用iHBM散热技术，并扩大针对客户需求进行联合设计的定制化HBM业务。

分析称，HBM产品不仅需要先进的DRAM制造技术，还涉及芯片堆叠、先进封装、散热控制以及与AI加速器联合设计和长期认证，因此进入门槛明显高于普通DRAM。即使未来通用DRAM市场价格承压，高盈利能力的HBM业务仍有助于企业保持整体盈利水平。

业界表示，长鑫存储扩大产能带来的压力不仅在于争夺中国市场份额，更可能对全球通用DRAM价格形成长期影响。未来，SK海力士需要持续提升LPDDR6、高性能AI服务器DRAM以及HBM产品的技术水平、良品率和稳定供货能力，以巩固竞争优势。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社