纽斯频通讯社首尔8月6日电 中国长鑫存储(CXMT)已进入新一代移动存储芯片LPDDR6研发收尾阶段,并计划今年下半年推进试生产和量产。业内认为,随着中国企业不断提升高性能存储产品研发能力,全球DRAM市场竞争正由通用型产品进一步向高端产品领域延伸。

据韩国半导体行业及外媒消息,长鑫存储已完成最高传输速度达12.8Gbps的LPDDR6研发验证,在继LPDDR5、LPDDR5X之后进一步完善产品布局。目前,公司在全球DRAM市场份额约为7%,并与腾讯签署大规模服务器DRAM供应协议,客户群持续扩大。报道称,惠普、华硕、宏碁等部分国际PC厂商也正评估或有限采用长鑫存储产品,以应对存储芯片供应紧张局面。
业内人士认为,目前人工智能(AI)服务器带动全球存储芯片需求持续高于供给,即使长鑫存储产品价格与三星电子、SK海力士相比没有明显优势,也能够实现销售,为其扩大市场份额提供了有利条件。
不过,随着长鑫存储新工厂投产以及全球DRAM供需趋于平衡,未来市场竞争可能进一步加剧。若长鑫存储依托政策支持和国内市场扩大市场份额,全球通用DRAM价格或面临更大下行压力。
面对竞争,韩国SK海力士正采取"双轨战略"。一方面,在通用DRAM市场推出性能更高、功耗更低的高附加值产品,准备供应采用最新1c工艺的LPDDR6产品,其数据处理速度较LPDDR5X提高33%,功耗降低20%以上,主要面向端侧人工智能智能手机和平板电脑市场。
另一方面,SK海力士继续加大高带宽存储器(HBM)布局。公司今年已开始量产HBM4,并于6月向主要客户提供12层HBM4E样品。HBM4E最高单引脚传输速度可达16Gbps,较HBM4功耗降低20%以上,热阻降低17%。公司还计划在下一代HBM5产品中采用iHBM散热技术,并扩大针对客户需求进行联合设计的定制化HBM业务。
分析称,HBM产品不仅需要先进的DRAM制造技术,还涉及芯片堆叠、先进封装、散热控制以及与AI加速器联合设计和长期认证,因此进入门槛明显高于普通DRAM。即使未来通用DRAM市场价格承压,高盈利能力的HBM业务仍有助于企业保持整体盈利水平。
业界表示,长鑫存储扩大产能带来的压力不仅在于争夺中国市场份额,更可能对全球通用DRAM价格形成长期影响。未来,SK海力士需要持续提升LPDDR6、高性能AI服务器DRAM以及HBM产品的技术水平、良品率和稳定供货能力,以巩固竞争优势。(完)
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社












