[뉴스핌=서영준 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 경쟁력 강화에 집중하고 있다. 삼성전자는 올해 14조4000억원을 반도체에 투자해 역량 제고에 나서고 있으며 SK하이닉스도 경쟁사 대비 상대적으로 약세인 낸드플래시 분야 기술개발에 박차를 가하고 있다.
4일 관련업계에 따르면 삼성전자는 14조4000억원을 들여 메모리 반도체 첨단공정 및 V낸드플래시 인프라 투자, 시스템LSI 첨단공정 전환 등을 추진한다.
D램 분야에서 삼성전자는 20나노 공정을 확대해 원가 경쟁력을 강화하고 차별화된 신제품을 공급해 실적 개선을 추진할 방침이다. 특히 화성 S3 반도체 라인을 통해 이르면 내년 중순부터 D램 생산에 들어갈 계획이다.
백지호 삼성전자 메모리사업부 상무는 "S3 반도체 생산라인에서는 기본적으로 D램 생산을 검토 중"이라며 "빠르면 내년 중순부터 아웃풋이 나올 것"이라고 말했다.
단기간 내 실적 개선이 어려울 것으로 예상되는 시스템LSI에서는 올 하반기 양산을 실시하는 14나노 핀펫(FinFET) 신공정을 통해 생산성 향상에 들어간다. 이에 따라 삼성전자는 파운드리 경쟁력을 확보, 내년 점유율 확대를 기대하고 있다.
두영수 삼성전자 시스템LSI 사업부 상무는 "연말부터 양산될 14나노 핀펫 시스템반도체 첫 제품은 모바일 AP가 될 것"이라며 "하반기 본격 양산되면 가격경쟁력이 어느 정도 회복되고 수율개선 등 생산성 향상방안을 적극 추진할 예정"이라고 설명했다.
낸드플래시는 수요가 증가할 것으로 전망되는 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장에 적극 대응하고 10나노급 공정전환등을 통해 수익성 확보에 주력할 계획이다.
SK하이닉스 역시 주력인 D램 외에도 낸드플래시 기술력 강화에 공을 들이고 있다.
SK하이닉스는 3분기 반도체 출하량이 D램 5~9%, 낸드플래시 25~29% 정도 증가할 것으로 내다보고 있다.
D램의 경우에는 각종 모바일 신제품 출시와 함께 PC D램 수요 증가 영향으로 수급 안정화가 지속될 것으로 예측되고 있다. 이와 함께 중국 LTE(롱텀에볼루션) 통신시장이 3분기부터 확대될 전망이어서 견조한 수급을 뒷받침할 전망이다.
SSD 중심으로 성장이 예상되는 낸드플래시 경우에는 기술개발에 박차를 가할 계획이다. 이를 위해 SK하이닉스는 3분기 내 TLC(트리플레벨셀)와 3D낸드플래시 개발을 완료하고 고객사에 제품을 공급할 예정이다.
SK하이닉스 관계자는 "3분기 중 TLC와 3D낸드플래시 개발을 완료할 것"이라며 "고객사와의 협의가 진행되면 TLC의 경우 내년 상반기 중 의미있는 매출이 시작될 것"이라고 밝혔다.
[뉴스핌 Newspim] 서영준 기자 (wind0901@newspim.com)
