[ 뉴스핌=황세준 기자 ] 전세계 낸드플래시 점유율 1위 업체인 삼성전자가 '4세대(64단) 3D낸드(V낸드)' 제품 비중을 늘리며 기술격차를 확대한다.

삼성전자는 4세대 256기가비트(Gb) V낸드플래시를 서버, PC, 모바일 등 모든 제품향으로 확대 생산하며 이 제품의 월간 생산비중을 50% 이상으로 연내 끌어올릴 계획이라고 15일 밝혔다.

회사측에 따르면 지난 1월 글로벌 B2B 고객을 대상으로 공급을 시작했다. 4세대 V낸드는 3세대(48단) 제품 대비 속도와 생산성, 전력 효율 모두 30% 이상 높다.

낸드플래시를 만들때 반도체 셀의 단수가 높아지면 하중에 의해 구조가 틀어지거나 최상단과 최하단 셀에 특성 차이가 발생할 위험이 높아진다. 이에 삼성전자는 '9-Hole'이라는 신기술을 개발해 균일한 패턴을 형성하고 전체 단의 하중을 분산했다.

또 원자 단위로 제어할 수 있는 CTF(Charge Trap Flash) 박막을 형성해 셀 크기를 줄이면서도 쓰기·지우기 특성 수명을 높였다. 아울러 셀과 셀 사이의 데이터 간섭 현상을 최소화하는 기술도 구현해 3세대 제품 대비 신뢰성을 20% 끌어올렸다.

회사측은 4세대 V낸드를 계기로 90단 이상의 수직 적층 한계를 극복해 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 '1테라(Tera) 비트 V낸드' 시대를 여는 원천 기술도 확보했다고 설명했다.

아울러 초고속 동작 회로 설계로 초당 1기가비트(Gb)의 데이터를 전송하고 셀에 데이터를 기록하는 속도는 10나노급 2D 낸드 대비 약 4배, 3세대 V낸드 대비 약 1.5배 빠른 500마이크로초μs를 달성했다고 밝혔다.

경계현 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "테라 V낸드 시대를 앞당기기 위해 임직원 모두 혁신적인 기술 개발에 전념했다"며 "향후에도 차세대 제품을 적기에 개발해 글로벌 IT 기업과 소비자의 사용 만족도를 높인 솔루션을 제공하겠다"고 강조했다.

한편, 삼성전자는 지난 15년간 V낸드를 연구하며 500건 이상의 핵심 특허를 개발해 미국, 일본을 비롯한 세계 각국에 출원을 완료하는 등 메모리 반도체 기술을 선도해 나가고 있다고 밝혔다.

[뉴스핌 Newspim] 황세준 기자 (hsj@newspim.com)